Мощность биполярный транзистор



Биполярный транзистор был изобретен в 1947 году Шокли, Браттейном и Бардином. То
многократные преимущества замены вакуумных ламп твердотельным устройством быстро распространили его применение
в приложениях. Доступность технологии монокристаллического кремния с более высокими уровнями чистоты вместе взятых
благодаря возможности формирования диффузионных переходов стало возможным изготовление транзисторов с высокой блокировкой
возможность напряжения тока. В течение нескольких десятилетий предпринимались усилия по совершенствованию фотолитографии
методы и возможности эпитаксиального осаждения достигают кульминации в наличии мощности 500 в
транзисторы в конце 1970-х гг. Однако в ходе этих усилий было признано, что одним из основных
недостатком силового биполярного транзистора является его слабый коэффициент усиления по току. Следовательно, эти
устройства вскоре были затмеваемы изобретением и быстрой коммерциализацией изолированных
затвор биполярного транзистора (IGBT). Высокое входное сопротивление IGBT упростило управление затвором
схема, обеспечивающая ее интеграцию. Вместе с большей плотностью тока в состоянии включения и улучшенной
прочность IGBT по сравнению с силовым биполярным транзистором, что позволило значительно
улучшение размеров, стоимости и производительности силовых электронных систем для многих
приложения.
Биполярный силовой транзистор в основном используется в качестве переключателя. Временные интервалы переключения при повороте
включение и выключение структуры, таким образом, представляют интерес с точки зрения приложения. Наличие
показано, что накопленный заряд миноритарной несущей внутри устройства ограничивает рабочую частоту
эти гаджеты.
Хотя силовой биполярный транзистор был вытеснен IGBT во всех силовых приложениях, а
хорошее понимание физики переноса тока в биполярном транзисторе очень важно
для специалистов по силовым устройствам. Кроме того, IGBT содержит в своей структуре биполярный транзистор.
Следовательно, анализ структуры IGBT требует применения физико —
концепции силового биполярного транзистора.

Физика работы биполярного силового транзистора была описана на сайте https://all-electronic.ru/teoriya/bipolyarnyj-tranzistor-ustrojstvo-i-princip-raboty. Биполярный транзистор представляет собой управляемую током структуру, в которой
коэффициент усиления по току зависит от концентрации легирования эмиттера и базы
области, а также ширина базовой области. В случае биполярной власти
транзистор, падение коэффициента усиления по току происходит из-за высокоуровневого впрыска в
базовая область, которая ухудшает его прирост мощности. Биполярный силовой транзистор также является
подвержены отказам режимы, связанные с переполнением эмиттера током во время включения и выключения.

Читать также:  Центр в Краснодаре
Помогла статья? Оцените её
1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд
Загрузка...

Добавить комментарий
Adblock detector